氧和水份對合成反應傷害很大

       影響三氯氫硅生產合成的因素主要有：溫度、氧和水分的影響、游離氯的控制、硅粉粒度、料層高度和氯化氫流量。以下針對影響因素作簡要概述。

       硅粉粒度

       硅粉與氯化氫氣體反應是在硅的表面進行的，硅粉比表面積越大，越有利于反應，即要求硅粉粒度應該較小。但是粒度過小，流化時容易形成聚式流化床，有較多的氣泡，將抑制傳質進行，使氯 化氫的一次轉化率降低，同時，較小的顆粒迅速反應，很快就達到帶出粒徑范圍，使硅粉的利用率降低。因此，選用粒度適中的硅粉是很重要的。

       氧和水份的影響

       氧和水份對合成反應傷害很大，因為Si-0化學鍵比Si-Cl化學鍵更穩定，進入系統的氧元素都會與硅合成硅膠或硅氧烷類物質，一方面在硅粉表面形成一層致密的氧化膜，影響反應的正常進行，使產物中三氯氫硅含量降低，此外還形成硅膠類物質堵塞管道，使生產系統發生故障。

       料層高度和氯化氫流量

       有形成“管涌”的可能性，如果料層過低，產生不均勻沸騰，反應的接觸時間也縮短，產量會降低。氯化氫的流量決定了顆粒床的流化狀態。具體的料層高度和氯化氫流量需通過實際生產實踐確定。

       氯化氫中游離氯的控制

       游離氯對合成爐的影響主要是兩個方面：一是含量過高有爆炸危險，另外是會影響合成的質量。通過氯化氫合成爐反應時氫過量4%左右來控制游離氯，并用含量檢測儀連續檢測氯化氫的質量來確保游離氯含量低于生產要求

       三氯氫硅生產合成中，用到的材料其特殊性，直接關系到三氯氫硅的產品品質，以及合成過程的正常運行。

       山東言赫化工有限公司專業經營淄博萬達利特種氣體公司生產的氯化氫是在淄博齊魯石化工業園區注冊的高新科技企業，淄博萬達利直屬于北京華宇同方，主要從事新材料技術和化工新技術的研發，以及高新技術產品的生產和銷售。研發的沸石催化劑及其應用技術處于世界先進水平.生產的“華宇同方”牌高純氯化氫產品與國際知名品牌的性能相當,為半導體器件制造業、光伏產業和醫藥工業提供了充足的優質原材料。